SYSTEM AND METHOD FOR MATERIAL ANALYSIS OF A MICROSCOPIC ELEMENT
A system and a method for material analysis of a microscopic element, the method comprising: illuminating an area that includes at least a portion of the microscopic element by a charged particle beam, detecting particles that are generated in the area in response to the charged particle beam and an...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A system and a method for material analysis of a microscopic element, the method comprising: illuminating an area that includes at least a portion of the microscopic element by a charged particle beam, detecting particles that are generated in the area in response to the charged particle beam and analyzing the detected particles to provide an indication about a material characteristic of the microscopic element, wherein the operation of illumination is implemented as a sequence of displacement compensation determination periods, each provided between consecutive material analysis periods, the method further comprising evaluating during a displacement compensation determination period, a displacement of the charged particle beam with respect to the microscopic element and during a consecutive material analysis period applying a spatial adjustment measure as required, thereby compensating for a drift of the charged particle beam.
La présente invention concerne un système et un procédé d'analyse de matière d'un élément microscopique. Ce procédé consiste à faire arriver un faisceau de particules chargées sur une zone comprenant au moins une partie de l'élément microscopique, à détecter les particules produites dans la zone en réaction à l'exposition au faisceau de particules chargées, et à analyser les particules détectées de façon à donner une indication concernant une caractéristique matérielle de l'élément microscopique. La procédure mise en oevre pour cet exposition implique une succession de périodes de détermination de corrections de déplacements dont chacune intervient entre deux périodes consécutives d'analyse de matière. Ce procédé consiste également à évaluer, pendant une période de détermination de correction de déplacement, un déplacement du faisceau de particules chargées par rapport à l'élément microscopique, et pendant une période consécutive d'analyse de matière, à appliquer le cas échéant une mesure d'ajustement spatial, ce qui permet une correction tenant compte d'une dérive du faisceau de particules chargées. |
---|