REDUCTION OF WATERMARKS IN HF TREATMENTS OF SEMICONDUCTING SUBSTRATES

The present invention relates to processes of cleaning and preparing hydrophobic surfaces of semiconductor substrates, wherein the said semiconductor substrates are suitable for use as base substrates for epitaxial growth. In the context of cleaning the substrate with an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF), a strong acid with a pKa of less than 3 may be used in combination with the HF and/or rinsing whilst applying megasonic waves may be performed. The processes according to the invention allow hydrophobic surfaces to be prepared showing reduced levels of watermarks. La présente invention concerne des procédés de nettoyage et de préparation de surfaces hydrophobes de substrats semi-conducteurs, permettant d'obtenir des substrats semi-conducteurs aptes à être utilisés comme substrats de base pour la croissance épitaxiale. Lors du nettoyage du substrat avec une solution contenant de l'acide fluorhydrique (HF), un acide fort avec un pKa inférieur à 3 peut être utilisé en combinaison avec l'acide hydrofluorique et/ou un lavage avec application d'ondes mégasonores peut être effectué. Les procédés selon l'invention permettent la préparation de surfaces hydrophobes présentant des niveaux réduits d'effets de moirage.