HAFNIUM OXIDE ALD PROCESS

A method and apparatus for performing ALD deposition of hafnium oxide on a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a precursor delivery subsystem, an oxidizer delivery subsystem, a purge gas subsystem, a solvent flush subsystem, and optional solvent recovery and purification subsystems. The method includes pulsing precursor compounds into the process chamber in sequence. While one precursor is pulsed, purge gas is provided through the other precursor line. After pulsing, precursor lines are purged, and the chamber is evacuated and purged. A solvent flush step is employed to remove precursor deposits that build up in piping over time. Cette invention concerne un procédé et un appareil pour déposer de l'oxyde de hafnium sur un substrat par un procédé ALD. L'appareil comprend une chambre de procédé, un sous-système de délivrance de précurseurs, un sous-système de délivrance d'un agent d'oxydation, un sous-système de gaz de purge, un sous-système de rinçage par solvant, et éventuellement, des sous-systèmes de récupération et de purification du solvant. Le procédé comprend l'impulsion de composés précurseurs dans la chambre de procédé en séquence. Pendant qu'un composé précurseur est impulsé, le gaz de purge est injecté par l'autre conduite de précurseur. Après impulsion, les conduites de précurseurs sont purgées, et la chambre est mise sous vide et purgée. Une étape de rinçage par solvant est utilisée pour éliminer les dépôts de précurseurs qui finissent par s'accumuler dans les conduites avec le temps.