ETCH WITH HIGH ETCH RATE RESIST MASK

A method for etching features into an etch layer is provided. A patterned mask is formed over the etch layer, wherein the patterned mask is of a high etch rate photoresist material, wherein the patterned mask has patterned mask features. A protective layer is deposited on the patterned mask of high etch rate photoresist material by performing a cyclical deposition, wherein each cycle, comprises a depositing phase for depositing a deposition layer over the exposed surfaces, including sidewalls of the patterned mask of high etch rate photoresist material and a profile shaping phase for providing vertical sidewalls. Features are etched into the etch layer using the protective layer as a mask. The protective layer is removed. L'invention concerne un procédé de gravure de caractéristiques sur une couche de gravure. Un masque à motifs est formé par-dessus la couche de gravure, le masque à motifs étant en matériau photorésistant à vitesse de gravure élevée, le masque à motifs ayant des caractéristiques de masque imprimées. Une couche de protection est déposée sur le masque à motifs en matériau photorésistant à vitesse de gravure élevée en effectuant un dépôt cyclique, chaque cycle comprenant une phase de dépôt qui consiste à déposer une couche de dépôt sur les surfaces exposées, y compris les parois latérales du masque à motifs en matériau photorésistant à vitesse de gravure élevée, et une phase de mise en forme de profil qui consiste à créer des parois latérales verticales. Les caractéristiques sont gravées sur la couche de gravure en utilisant la couche de protection comme un masque. La couche de protection est retirée.