HIGH YIELD AND HIGH THROUGHPUT METHOD FOR THE MANUFACTURE OF INTEGRATED CIRCUIT DEVICES OF IMPROVED INTEGRITY, PERFORMANCE AND RELIABILITY

The present invention provides a method of forming a contact opening, such as a via hole, in which a sacrificial layer is deposited prior to exposing a conductor formed in a substrate at a bottom side of the opening to prevent damage and contamination to the materials constituting an integrated circuit device from happening. The exposing may or may not form a recess in the conductor. The present invention also provides a method of forming a contact opening having a recess in the conductor wherein a sacrificial layer is not deposited until the conductor is exposed, but deposited before a recess is formed in the conductor so that a major damage and contamination related to the recess formation can be prevented. By forming a trench feature over a contact opening formed by using the present invention, a dual damascene feature can be fabricated. By performing further damascene process steps over the various damascene interconnect features formed by using the present invention, various interconnect systems such as a single damascene planar via, a single damascene embedded via, and various dual damascene interconnect system having either a planar via or an embedded via can be fabricated. L'invention concerne un procédé de formation d'une ouverture de contact, telle qu'un trou d'interconnexion, dans lequel une couche sacrificielle est déposée avant l'exposition d'un conducteur formé dans un substrat au niveau d'un côté inférieur de l'ouverture pour empêcher un endommagement et une contamination des matériaux constituant un dispositif à circuit intégré. L'exposition peut former ou non un évidement dans le conducteur. La présente invention concerne également un procédé de formation d'une ouverture de contact comportant un évidement dans le conducteur, une couche sacrificielle n'étant pas déposée jusqu'à l'exposition du conducteur, mais étant déposée avant la formation d'un évidement dans le conducteur si bien qu'un endommagement et une contamination majeurs liés à la formation de l'évidement peuvent être empêchés. Par la formation d'une caractéristique de tranchée sur une ouverture de contact formée par utilisation de la présente invention, une caractéristique de damasquinage double peut être fabriquée. Par la réalisation d'autres étapes de procédé de damasquinage sur les diverses caractéristiques d'interconnexion de damasquinage formées par utilisation de la présente invention, divers systèmes d'interconnexion tels qu'un trou d'interconnexion plan de damasquinage s