ADJUSTABLE WRITE PULSE GENERATOR WITHIN A CHALCOGENIDE MEMORY DEVICE

An adjustable write pulse generator is disclosed. The adjustable write pulse generator includes a band-gap reference current, a programmable ring oscillator, a frequency divider and a single pulse generator. The band-gap reference current circuit generates a well-compensated current over a predetermined range of temperatures needed to program a chalcogenide memory cell. The programmable ring oscillator generates a first set of continuous write "0" and write "1" pulse signals based on the well-compensated current. The frequency divider then divides the first set of continuous write "0" and write "1" pulse signals into a second set of continuous write "0" and write "1" pulse signals. The single pulse generator subsequently converts the second set of continuous write "0" and write "1" pulse signals into a single write "0" pulse signal or a single write "1" pulse signal when programming the chalcogenide memory cell. Le générateur d'impulsions d'écriture réglable décrit comprend un courant de référence de bande interdite, un oscillateur annulaire programmable, un diviseur de fréquence et un générateur d'impulsions isolées. Le circuit de courant de référence de bande interdite génère un courant bien compensé sur une plage de températures prédéterminée nécessaire pour programmer une cellule de mémoire au chalcogénure. L'oscillateur annulaire programmable génère un premier ensemble de signaux d'impulsion d'écriture = 0 = et d'écriture = 1 = continus sur la base du courant bien compensé. Le diviseur de fréquence divise ensuite le premier ensemble de signaux d'impulsion d'écriture = 0 = et d'écriture = 1 = continus en un second ensemble de signaux d'impulsion d'écriture = 0 = et d'écriture = 1 = continus. Le générateur d'impulsions isolées convertit ensuite le second ensemble de signaux d'impulsion d'écriture = 0 = et de d'écriture = 1 = continus en un signal d'impulsion d'écriture = 0 = unique ou un signal d'impulsion d'écriture = 1 = unique lors de la programmation de la cellule de mémoire au chalcogénure.