PITCH REDUCTION USING OXIDE SPACER

A method for etching an etch layer disposed over a substrate and below an antireflective coating (ARC) layer and a patterned organic mask with mask features is provided. The substrate is placed in a process chamber. The ARC layer is opened. An oxide spacer deposition layer is formed. The oxide spacer deposition layer on the organic mask is partially removed, where at least the top portion of the oxide spacer deposition layer is removed. The organic mask and the ARC layer are removed by etching. The etch layer is etched through the sidewalls of the oxide spacer deposition layer. The substrate is removed from the process chamber. L'invention concerne un procédé de gravure d'une couche de gravure disposée sur un substrat et sous une couche de revêtement antiréfléchissant (ARC) et un masque organique formé en motif avec des particularités de masque. Le substrat est placé dans une chambre de traitement. La couche ARC est ouverte. Une couche de dépôt d'espaceur d'oxyde est formée. La couche de dépôt d'espaceur d'oxyde sur le masque organique est partiellement éliminée, où au moins la partie supérieure de la couche de dépôt d'espaceur d'oxyde est éliminée. Le masque organique et la couche ARC sont éliminés par gravure. La couche de gravure est gravée dans les parois latérales de la couche de dépôt d'espaceur d'oxyde. Le substrat est éliminé de la chambre de traitement.