PROCESSES FOR PURIFICATION OF SILICON TETRAFLUORIDE
Processes for purifying silicon tetrafluoride source gas by subjecting the source gas to one or more purification processes including: contacting the silicon tetrafluoride source gas with an ion exchange resin to remove acidic contaminants, contacting the silicon tetrafluoride source gas with a cata...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Processes for purifying silicon tetrafluoride source gas by subjecting the source gas to one or more purification processes including: contacting the silicon tetrafluoride source gas with an ion exchange resin to remove acidic contaminants, contacting the silicon tetrafluoride source gas with a catalyst to remove carbon monoxide, by removal of carbon dioxide by use of an absorption liquid, and by removal of inert compounds by cryogenic distillation; catalysts suitable for removal of carbon monoxide from silicon tetrafluoride source gas and processes for producing such catalysts.
L'invention porte sur des procédés de purification d'un gaz source de tétrafluorure de silicium consistant à soumettre le gaz source à un ou plusieurs traitements de purification comprenant : la mise en contact du gaz source de tétrafluorure de silicium avec une résine échangeuse d'ions pour éliminer les contaminants acides, la mise en contact du gaz source de tétrafluorure de silicium avec un catalyseur pour éliminer le monoxyde de carbone, l'élimination du dioxyde de carbone à l'aide d'un liquide d'absorption, et l'élimination de composés inertes par distillation cryogénique; sur des catalyseurs appropriés pour l'élimination du monoxyde de carbone à partir d'un gaz source de tétrafluorure de silicium, et sur des procédés de fabrication de tels catalyseurs. |
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