METHOD AND APPARATUS FOR MEASUREMENT AND CONTROL OF PHOTOMASK TO SUBSTRATE ALIGNMENT

A method, structure, system of aligning a substrate to a photomask. The method comprising: directing light through a clear region of the photomask in a photolithography tool, through a lens of the tool and onto a set of at least three diffraction mirror arrays on the substrate, each diffraction mirror array of the set of at least three diffraction mirror arrays comprising a single row of mirrors, all mirrors in any particular diffraction mirror array spaced apart a same distance, mirrors in different diffraction mirror arrays spaced apart different distances; measuring an intensity of light diffracted from the set of at least three diffraction mirror arrays onto an array of photo detectors; and adjusting a temperature of the photomask or photomask and lens based on the measured intensity of light. L'invention concerne un procédé, une structure, un système d'alignement d'un substrat sur un masque photographique. Le procédé comprenant : le guidage de lumière à travers une région transparente du masque photographique dans un outil de photolithographie, à travers une lentille de l'outil et sur un ensemble d'au moins trois champs de miroirs de diffraction sur le substrat, chaque champ de miroir de diffraction de l'ensemble des trois champs de miroirs de diffraction ou plus comprenant une unique rangée de miroirs, tous les miroirs d'un champ de miroir de diffraction particulier étant espacés à une même distance, les miroirs de différents champs de miroirs de diffraction étant espacés à différentes distances ; la mesure d'une intensité de lumière diffractée depuis l'ensemble des trois champs de miroirs de diffraction ou plus sur une matrice de photodétecteurs ; et le réglage d'une température du masque photographique, ou du masque photographique et de la lentille, en fonction de l'intensité de lumière mesurée.