APPARATUS AND METHODS FOR PREDICTING A SEMICONDUCTOR PARAMETER ACROSS AN AREA OF A WAFER

Apparatus and methods are provided for predicting a plurality of unknown parameter values (e.g. overlay error or critical dimension) using a plurality of known parameter values. In one embodiment, the method involves training a neural network to predict the plurality of parameter values (114, 700, 800, 900). In other embodiments, the prediction process does not depend on an optical property of a photolithography tool. Such predictions may be used to determine wafer lot disposition (114). L'invention concerne un appareil et des procédés pour prédire une pluralité de valeurs de paramètre inconnues (par exemple, un désalignement des masques ou une dimension critique) à l'aide d'une pluralité de valeurs de paramètre connues. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à entraîner un réseau neuronal à prédire la pluralité de valeurs de paramètre (114, 700, 800, 900). Dans d'autres modes de réalisation, le processus de prédiction ne dépend pas d'une propriété optique d'un outil de photolithographie. Ces prédictions peuvent être utilisées pour déterminer une disposition de lot de tranches (114).