SOLID MEMORY

Recording and erasing of data in PRAM have hitherto been performed based on a change in physical characteristics caused by primary phase transformation of a crystallized state and an amorphous state of a recording material which is a Te-containing chalcogen compound. Since, however, a recording thin film is formed of a polycrystalline but not a single crystal, a variation in resistance values occurs and a change in volume caused upon phase transition has placed a limit on the number of times of readout of the record. The above problem has been solved by a solid memory comprising a Ge-containing thin film having a superlattice structure and an Sb-containing thin film having a superlattice structure. The solid memory can realize a number of times of repeated recording and erasing of 1015. Jusqu'à présent, l'enregistrement et l'effacement de données dans une mémoire PRAM étaient réalisés sur la base d'une modification de caractéristiques physiques engendrée par une transformation de phase primaire d'état cristallisé et d'état amorphe d'un matériau d'enregistrement qui est un composé de chalcogène à teneur en Te. Mais étant donné qu'un film mince d'enregistrement est constitué de cristal polycristallin et non pas d'un cristal unique, une variation de valeurs de résistance intervient et une modification de volume intervenant à la transition de phase se traduit par une limite relative au nombre de réalisations constatées de l'enregistrement. Le problème est désormais résolu par l'utilisation d'une mémoire solide comprenant un film mince à teneur en Ge ayant une structure hétérarchique et un film mince à teneur en Sb ayant une structure hétérarchique. Cette mémoire solide permet de réaliser un nombre d'enregistrements et d'effacements répétés égal à 1015.