SOLID MEMORY

Recording and erasing of data in PRAM have hitherto been performed based on a change in physical characteristics caused by primary phase transformation of a crystallized state and an amorphous state of a recording material which is a Te-containing chalcogen compound. Since, however, a recording thin film is formed of a polycrystalline but not a single crystal, a variation in resistance values occurs and a change in volume caused upon phase transition has placed a limit on the number of times of readout of the record. The above problem has been solved by preparing a solid memory having a superlattice structure with a thin film containing Sb and a thin film containing Te. The solid memory can realize a number of times of repeated recording and erasing of 1015. L'enregistrement et l'effacement de données dans une mémoire PRAM ont jusqu'à présent été mis en oeuvre sur la base d'un changement de caractéristiques physiques causé par une transformation de phase primaire d'un état cristallisé et d'un état amorphe d'un matériau d'enregistrement qui est un composé de chalcogénure contenant du Te. Etant donné, cependant, qu'un film mince d'enregistrement est constitué d'un polycristallin et non d'un monocristal, une variation de valeurs de résistance se produit et une modification de volume causée lors d'une transition de phase a placé une limite sur le nombre de lectures de l'enregistrement. Le problème susmentionné a été résolu par préparation d'une mémoire solide présentant une structure de super-réseau avec un film mince contenant du Sb et un film mince contenant du Te. La mémoire solide peut permettre un nombre d'enregistrements et d'effacements répétés de 1015.