METHOD FOR ETCHING LOW-K MATERIAL USING OXIDE HARD MASK

A method of patterning a film stack is described. The method comprises preparing a film stack on a substrate, wherein the film stack comprises a SiCOH-containing layer formed on the substrate, a silicon oxide (SiOx) layer formed on the SiCOH-containing layer, and a mask layer formed on the silicon oxide layer. A pattern is created in the mask layer. Thereafter, the pattern in the mask layer is transferred to the silicon oxide layer using an etching process, and then the mask layer is removed. The pattern in the silicon oxide layer is transferred to the SiCOH- containing layer using a dry plasma etching process formed from a process composition comprising NF3. La présente invention a pour objet un procédé de formation de motifs d'un empilement de films. Le procédé comprend la préparation d'un empilement de films sur un substrat, où l'empilement de films comprend une couche contenant SiCOH formée sur le substrat, une couche d'oxyde de silicium (SiOx) formée sur la couche contenant SiCOH, et une couche de masque formée sur la couche d'oxyde de silicium. Un motif est créé dans la couche de masque. Par la suite, le motif dans la couche de masque est transféré vers la couche d'oxyde de silicium au moyen d'un procédé d'attaque chimique, et la couche de masque est ensuite retirée. Le motif dans la couche d'oxyde de silicium est transféré vers la couche contenant SiCOH au moyen d'un procédé d'attaque chimique à plasma sec formé à partir d'une composition du procédé comprenant NF3.