III-NITRIDE DEVICE GROWN ON EDGE-DISLOCATION TEMPLATE

A semiconductor light emitting device includes a wurtzite Ill-nitride semiconductor structure including a light emitting layer (72) disposed between an n-type region (71) and a p- type region (73). A template layer (18) and a dislocation bending layer (20) are grown before the light emitting layer (72). The template layer (18) is grown such that at least 70% of the dislocations in the template layer are edge dislocations (29, 30, 31, 32). At least some of the edge dislocations (29, 30, 31, 32) in the template layer continue into the dislocation bending layer. The dislocation bending layer (20) is grown to have a different magnitude of strain than the template layer (18). The change in strain at the interface between the template layer (18) and the dislocation bending layer (20) causes at least some of the edge dislocations (29, 30, 31, 32) in the template layer to bend to a different orientation in the dislocation bending layer. Semiconductor material grown above the bent edge dislocations (33) may exhibit reduced strain. Un dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur comprend une structure de semi-conducteur de nitrure III de wurtzite, comprenant une couche (72) émettant de la lumière disposée entre une région du type n (71) et une région de type p (73). Une couche de matrice (18) et une couche de flexion de dislocations (20) sont développées avant la couche (72) d'émission de lumière. La couche de matrice (18) est amenée à croître de telle sorte qu'au moins 70 % des dislocations dans la couche de matrice sont des dislocations de bordure (29, 30, 31, 32). Au moins une partie des dislocations marginales (29, 30, 31, 32) dans la couche de matrice se poursuit dans la couche de flexion de dislocations. La couche de flexion de dislocation (20) est amenée à croître pour avoir une grandeur de contrainte différente de la couche de matrice (18). Le changement de contrainte à l'interface entre la couche de matrice (18) et la couche de flexion de dislocations (20) amène au moins une partie des dislocations marginales (29, 30, 31, 32) dans la couche de matrice à fléchir à une orientation différente dans la couche de flexion de dislocations. Une matière semi-conductrice développée au-dessus des dislocations marginales fléchies (33) peut présenter une contrainte réduite.