ABA TRIBLOCK COPOLYMER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Disclosed is a novel hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer which is excellent in resolution, electrical insulation, thermal shock resistance, adhesion and the like. This hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer is useful as a raw material for a photosensitive resin component that is suitabl...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SAWADA, GORO, MITA, TAKAHITO, HABA, KAZUHIKO, YOSHIDA, NORIHIRO, AOKI, HIJIRI, KAMADA, AMI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Disclosed is a novel hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer which is excellent in resolution, electrical insulation, thermal shock resistance, adhesion and the like. This hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer is useful as a raw material for a photosensitive resin component that is suitable for interlayer insulating films or surface protective films for semiconductor devices. Also disclosed is a simple method for producing such a hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer. Specifically disclosed is a novel hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer which is composed of a segment A containing a hydroxystyrene repeating unit (a1) and a segment B containing a vinyl ether repeating unit (b). The linking portion between the segment A and the segment B has a specific structure. Also specifically disclosed is a method for producing such a hydroxystyrene-based ABA triblock copolymer. This copolymer can be produced by radically polymerizing a hydroxystyrene monomer, while using a polyvinyl ether having thiol groups at both ends as a chain-transfer agent. L'invention porte sur un nouveau copolymère tribloc ABA à base d'hydroxystyrène, qui présente d'excellentes propriétés de résolution, isolation électrique, résistance au choc thermique, adhésion et similaire. Ce copolymère tribloc ABA à base d'hydroxystyrène est utile comme matière première pour un composant de résine photosensible qui est approprié pour des films d'isolation d'intercouches ou des films protecteurs de surface pour des dispositifs semi-conducteurs. L'invention porte également sur un procédé simple pour fabriquer un tel copolymère tribloc ABA à base d'hydroxystyrène. De façon spécifique, l'invention porte sur un nouveau copolymère tribloc ABA à base d'hydroxystyrène qui est composé d'un segment A contenant une unité répétitive d'hydroxystyrène (a1) et un segment B contenant une unité répétitive vinyl éther (b). La partie de liaison entre le segment A et le segment B a une structure spécifique. De façon spécifique, l'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un tel copolymère tribloc ABA à base d'hydroxystyrène. Ce copolymère peut être obtenu par polymérisation radicalaire d'un monomère hydroxystyrène tout en utilisant un polyvinyl éther ayant des groupes thiol aux deux extrémités comme agent de transfert de chaîne.