METHOD FOR THE PREPARATION OF HIGH PURITY SILICON

A method of forming high-purity elemental silicon is disclosed. The method includes the step of heating a silica gel composition, or an intermediate composition derived from a silica gel composition, wherein the silica gel composition or intermediate composition includes at least about 5% by weight carbon, and the heating temperature is above about 1550°C. The heating step results in the production of a product which includes elemental silicon. Another aspect of the invention relates to a method for making a photovoltaic cell. The method includes the step of forming a semiconductor substrate from elemental silicon prepared as described in this disclosure. Additional steps are then undertaken to fabricate the photovoltaic device. L'invention concerne un procédé permettant de former un silicium élémentaire de haute pureté. Ce procédé consiste à chauffer une composition de gel de silice ou une composition intermédiaire dérivée d'une composition de gel de silice, cette composition de gel de silice ou cette composition intermédiaire comprenant au moins environ 5 % en poids de carbone, et la température de chauffage est supérieure à environ 1550 °C. L'étape de chauffage permet la production d'un produit qui comprend du silicium élémentaire. Un autre aspect de l'invention concerne un procédé de fabrication de cellules photovoltaïques. Ce procédé consiste à former un substrat semi-conducteur à partir de silicium élémentaire préparé selon les étapes décrites ci-dessus. Des étapes additionnelles sont ensuite entreprises pour fabriquer le dispositif photovoltaïque.