METHODS OF FABRICATING ELECTRONIC DEVICES USING DIRECT COPPER PLATING

The present invention relates to methods and structures for the metallization of semiconductor devices. One aspect of the present invention is a method of forming a semiconductor device having copper metallization. In one embodiment, the method includes providing a patterned wafer having a diffusion barrier for copper; depositing a copperless seed layer on the diffusion barrier effective for electrochemical deposition of gapfill copper. The seed layer is formed by a conformal deposition process and by a nonconformal deposition process. The method further includes electroplating copper gapfill onto the seed layer. Another aspect of the invention includes electronic devices made using methods and structures according to embodiments of the present invention. La présente invention concerne des procédés et structures pour la métallisation de dispositifs à semi-conducteur. Un aspect de la présente invention est un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ayant une métallisation de cuivre. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend la fourniture d'une tranche formée en motif ayant une barrière de diffusion pour le cuivre; le dépôt d'une couche de germe sans cuivre sur la barrière de diffusion efficace pour un dépôt électrochimique de cuivre garnisseur de vide. La couche de germe est formée par un procédé de dépôt conforme et par un procédé de dépôt non conforme. Le procédé comprend en outre l'électroplacage de garnissage de vide de cuivre sur la couche de germe. Un autre aspect de l'invention comprend des dispositifs électroniques fabriqués en utilisant les procédés et structures selon des modes de réalisation de la présente invention.