GAPFILL EXTENSION OF HDP-CVD INTEGRATED PROCESS MODULATION SIO2 PROCESS

GAPFILL EXTENSION OF HDP-CVD INTEGRATED PROCESS MODULATION SIO2 PROCESS

Methods are disclosed for depositing a silicon oxide film on a substrate disposed in a substrate processing chamber. The substrate has a gap formed between adjacent raised surfaces. A silicon-containing gas, an oxygen-containing gas, and a fluent gas are flowed into the substrate processing chamber....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: VELLAIKAL, MANOJ, WANG, ANCHUAN, BLOKING, JASON, THOMAS, MUNGEKAR, HEMANT, P, JEON, JIN HO
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Methods are disclosed for depositing a silicon oxide film on a substrate disposed in a substrate processing chamber. The substrate has a gap formed between adjacent raised surfaces. A silicon-containing gas, an oxygen-containing gas, and a fluent gas are flowed into the substrate processing chamber. A high-density plasma is formed from the silicon-containing gas, the oxygen-containing gas, and the fluent gas. A first portion of the silicon oxide film is deposited using the high-density plasma at a deposition rate between 900 and 6000 Å/min and with a deposition/sputter ratio greater than 30. The deposition/sputter ratio is defined as a ratio of a net deposition rate and a blanket sputtering rate to the blanket sputtering rate. Thereafter, a portion of the deposited first portion of the silicon oxide film is etched. A second portion of the silicon oxide film is deposited over the etched portion of the silicon oxide film. La présente invention concerne des procédés de dépôt d'un film d'oxyde de silicium sur un substrat placé dans une chambre de traitement de substrat. Ce substrat comprend une rainure formée entre des surfaces en relief adjacentes. Un gaz contenant du silicium, un gaz contenant de l'oxygène et un gaz fluide sont versés dans la chambre de traitement du substrat. Un plasma à haute densité est formé à partir du gaz contenant du silicium, du gaz contenant de l'oxygène et du gaz fluide. Une première portion du film d'oxyde de silicium est déposée en utilisant le plasma à haute densité à un taux de dépôt figurant entre 900 et 6000 Å/min et à un taux de dépôt/pulvérisation supérieur à 30. Ce dernier rapport se définit en tant que rapport d'un taux de dépôt net et d'un rapport de pulvérisation général par rapport au taux de pulvérisation général. Ensuite, une portion de la première portion déposée du film d'oxyde de silicium est gravée. Une seconde portion du film d'oxyde de silicium est déposée sur la portion gravée du film d'oxyde de silicium.