A HIGH VOLTAGE (>100V) LATERAL TRENCH POWER MOSFET WITH LOW SPECIFIC-ON-RESISTANCE

In one aspect, a lateral MOS device is provided. The lateral MOS device includes a gate electrode disposed at least partially in a gate trench to apply a voltage to a channel region, and a drain electrode spaced from the gate electrode, and in electrical communication with a drift region having a boundary with a lower end of the channel region. The device includes a gate dielectric layer in contact with the gate electrode, and disposed between the gate electrode and the drain electrode. The channel region is adjacent to a substantially vertical wall of the gate trench. The device includes a field plate contacting the gate electrode and configured to increase a breakdown voltage of the device. Un aspect de l'invention concerne un dispositif MOS latéral. Le dispositif MOS latéral comprend une électrode de grille disposée au moins partiellement dans une tranchée de grille pour appliquer une tension à une région de canal, et une électrode de drain espacée de l'électrode de grille, et en communication électrique avec une région de dérive ayant une frontière avec une extrémité inférieure de la région de canal. Le dispositif comprend une couche diélectrique de grille en contact avec l'électrode de grille, et disposée entre l'électrode de grille et l'électrode de drain. La région de canal est adjacente à une paroi sensiblement verticale de la tranchée de grille. Le dispositif comprend une plaque de champ en contact avec l'électrode de grille et configurée pour augmenter une tension de claquage du dispositif.