IMPROVED OXIDE-BASED FIELD-EFFECT TRANSISTORS

A field-effect transistor comprising: a source region; a drain region; a semiconductor layer disposed between the source and drain regions; a gate region; and a dielectric region disposed between the semiconductor layer and the gate region; wherein the semiconductor layer comprises a titanium dioxid...

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Hauptverfasser: ANTHOPOULOS, THOMAS, BRADLEY, DONAL, DONAT, CONOR, HAQUE, SAIF, AHMED
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A field-effect transistor comprising: a source region; a drain region; a semiconductor layer disposed between the source and drain regions; a gate region; and a dielectric region disposed between the semiconductor layer and the gate region; wherein the semiconductor layer comprises a titanium dioxide film. The transistor may be light sensing, gas- or bio-sensing, or used in a visual display or in electronic circuits. Also provided is a method of forming a field-effect transistor comprising: forming a dielectric layer adjacent a gate; forming a source region and a drain region; and forming a semiconductor layer on the dielectric layer, the semiconductor layer comprising titanium dioxide. The titanium dioxide semiconductor layer may be deposited by spray pyrolysis, or alternatively mesoporous TiO2 films of nanocrystalline morphology may be formed by spin coating, doctor-blading or screen-printing techniques. La présente invention concerne un transistor à effet de champ comprenant : une région source, une région de drain, une couche à semi-conducteurs disposée entre les régions source et drain, une région de grille, et une région diélectrique disposée entre la couche à semi-conducteurs et la région de grille. La couche à semi-conducteurs comprend un film de dioxyde de titane. Le transistor peut capter la lumière, le gaz ou être un bio-capteur ou encore être employé dans un affichage visuel ou des circuits électroniques. L'invention concerne également un procédé pour former un transistor à effet de champ, consistant à former: une couche diélectrique adjacente à une grille, une région source et une région de drain, et une couche à semi-conducteurs sur la couche diélectrique, la couche à semi-conducteurs comprenant du dioxyde de titane. La couche à semi-conducteurs de dioxyde de titane peut être déposée par pulvérisation pyrolytique ou bien des films de TiO2 méso-poreux de morphologie nanocristalline peuvent être formés par les techniques de dépôt à la tournette, à la lame docteur ou impression au cadre.