A FIRST INTER-LAYER DIELECTRIC STACK FOR NON-VOLATILE MEMORY

A method and apparatus are described for forming a first inter-layer dielectric (ILD0) stack having a protective gettering layer (72) with a substantially uniform thickness. After forming device components (32, 33) on a substrate (31), a gap fill dielectric layer of SATEOS (52) is deposited over an etch stop layer of PEN ESL (42) and then planarized before sequentially depositing a gettering layer of BPTEOS (72) and capping dielectric layer (82) on the planarized gap fill dielectric layer (52). Once the ILD0 stack is formed, one or more contact openings (92, 94, 96) are etched through the ILD0 stack, thereby exposing the etch stop layer (42) over the intended contact regions. Procédé et dispositif pour la formation de première pile diélectrique intercouche (ILD0) à couche getter de protection (72) d'épaisseur sensiblement uniforme. Après la formation des composants du dispositif (32, 33) sur un substrat (31), une couche diélectrique de remplissage d'intervalle de SATEOS (52) est déposée sur une couche d'arrêt d'attaque de PEN ESL (42) et planarisée avant le dépôt séquentiel de couche getter de BPTEOS (72) et de couche diélectrique de coiffage (82) sur la couche diélectrique de remplissage d'intervalle planarisée (52). Une fois la pile ILD0 formée, on réalise par attaque une ou plusieurs ouvertures de contact (92, 94, 96) à travers ladite pile, ce qui permet d'exposer la couche d'arrêt d'attaque (42) sur les zones de contact prévues.