SYNTHESIZER FOR DOHERTY AMPLIFIER

A synthesizer (10) is constructed by constituting a first ?/4 line (L1) of a first strip line (46) and by constituting a second ?/4 line (L2) of a second strip line (50), so that it is formed into a chip shape (or a chip part) in a dielectric substrate (30). A first shield electrode (32a) is formed on the upper face (30x) of the dielectric substrate (30), and a second shield electrode (32b) is formed on the lower face (30y) of the dielectric substrate (30), so that the first ?/4 line (L1) and the second ?/4 line (L2) are formed between the first shield electrode (32a) and the second shield electrode (32b). Un synthétiseur (10) est construit par la constitution d'une première ligne ?/4 (L1) d'une première ligne ruban (46) et par la constitution d'une seconde ligne ?/4 (L2) d'une seconde ligne ruban (50), de telle sorte qu'il est formé en forme de puce (ou d'une partie de puce) dans un substrat diélectrique (30). Une première électrode de protection (32a) est formée sur la face supérieure (30x) du substrat diélectrique (30), et une seconde électrode de protection (32b) est formée sur la face inférieure (30y) du substrat diélectrique (30), de telle sorte que la première ligne ?/4 (L1) et la seconde ligne ?/4 (L2) sont formées entre la première électrode de protection (32a) et la seconde électrode de protection (32b).