PROCESS FOR PRODUCTION OF SILICON TETRACHLORIDE BY REACTION OF SILICON METAL AND CHLORINE WITH INTERNAL COOLING

Process for producing silicon tetrachloride, SiCI4 by reaction of silicon metal, Si and chlorine, Cl2 in a reactor. The temperature and rate of reaction is controlled by simultaneous, direct injection of chlorine and a cooling medium to the reaction zone of the reactor where the cooling medium is introduced as a liquid at a temperature lower than the reactor temperature and evaporates inside the reactor utilizing its heat of evaporation and its specific heat capacity for cooling. The cooling medium may preferably be silicon tetrachloride or an inert gas. L'invention porte sur un procédé de fabrication du tétrachlorure de silicium, SiCl4, par réaction de silicium métallique, Si, et de chlore, Cl2, dans un réacteur. Les températures et la vitesse de réaction sont régulées par injection simultanée, directe, de chlore et d'un agent réfrigérant dans la zone de réaction du réacteur où l'agent réfrigérant est introduit sous forme liquide à une température inférieure à la température de réacteur et s'évapore à l'intérieur du réacteur en utilisant sa chaleur d'évaporation et sa capacité thermique spécifique pour le refroidissement. L'agent réfrigérant peut, de préférence, être du tétrachlorure de silicium ou un gaz inerte.