PLASMA DRY ETCH PROCESS FOR METAL-CONTAINING GATES

A method of manufacturing a semiconductor device. The method comprises forming a gate stack layer (110). The gate stack has an insulating layer on a substrate (115), a metal-containing layer on the insulating layer (120), a metal nitride barrier layer on the metal-containing layer (125), and a silicon-containing layer on the metal nitride barrier layer (130). The method also comprises patterning (140) the gate stack layer (145). Patterning includes a plasma etch (160) of the metal nitride barrier layer. The plasma etch has a chloride-containing feed gas and a physical etch component. The physical etch component includes a high-mass species having a molecular weight of greater than about 71 gm/mol. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Le procédé consiste à former une couche d'un empilement de grille (110). L'empilement de grille comprend une couche d'isolation placée sur un substrat (115), une couche renfermant du métal située sur la couche d'isolation (120), une couche de protection de nitrure métallique située sur la couche renfermant du métal (125) et une couche renfermant du silicium situées sur la couche de protection de nitrure métallique (130). Le procédé consiste également à tracer un motif (140) sur la couche d'empilement de grille (145). La gravure plasma comprend un gaz de charge renfermant du chlorure et un composant de gravure physique. Le composant de gravure physique comprend une espèce à masse élevée dont la masse moléculaire est supérieure à environ 71 gm/mol.