ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

An organic thin film transistor is formed using an organic semiconducting polymer (41) that contains electrically conductive micro scale or nanoscale metallic plates, particulates, or rods (31) dispersed in the polymer at a concentration less than the percolation threshold to form a semiconducting matrix. The electrically conductive particulates (31) are dispersed to provide a multidimensional micro scale network so that the materials do not provide electrical conductivity between themselves but only between an individual particulate and the organic semiconductor (41). The transconductance value of the semiconducting matrix is at least one order of magnitude greater than the transconductance value of the neat organic semiconductor (41), providing a switching speed from an 'off state to an 'on' state at least one order of magnitude greater than a switching speed of the neat organic semiconductor. L'invention concerne un transistor à film mince organique qui est formé en utilisant un polymère semi-conducteur organique (41) qui contient des plaques métalliques à l'échelle microscopique ou nanométrique électriquement conductrices, des particules ou des tiges (31) dispersées dans le polymère à une concentration inférieure au seuil de filtration pour former une matrice semi-conductrice. Les particules électriquement conductrices (31) sont dispersées pour former un réseau à l'échelle microscopique multidimensionnel de sorte que les matériaux ne fournissent pas une conductivité électrique entre eux-mêmes mais seulement entre une particule individuelle et le semi-conducteur organique (41). La valeur de transconductance de la matrice semi-conductrice est au moins un ordre de grandeur supérieur à la valeur de transconductance du semi-conducteur organique mince (41), fournissant une vitesse de commutation d'un état = arrêt = à un état = marche = d'au moins un ordre de grandeur supérieur à une vitesse de commutation du semi-conducteur organique mince.