CONDUCTIVE VIA FORMATION UTILIZING ELECTROPLATING

A method for forming a conductive via is discussed and includes forming a seed layer over a first side (125) of a semiconductor substrate (103), wherein the semiconductor substrate includes a first side opposite a second side (127), forming a via hole (329) in a semiconductor substrate from the second side of the semiconductor substrate, wherein the via hole exposes the seed layer; and electroplating a conductive via material (601, 603) in the via hole from the seed layer. In one embodiment, a continuous conductive layer (116) is formed over and electrically coupled to the seed layer. The continuous conductive layer can serve as the current source while electroplating the conductive via material. La présente invention concerne un procédé pour former un trou d'interconnexion conducteur, qui comprend la formation d'une couche germe sur un premier côté (125) d'un substrat semi-conducteur (103), ledit substrat semi-conducteur comprenant un premier côté opposé à un second côté (127), la formation d'un trou d'interconnexion (329) dans un substrat semi-conducteur depuis le second côté du substrat semi-conducteur, ledit trou d'interconnexion exposant la couche germe ; et la galvanisation d'un matériau du trou d'interconnexion conducteur (601, 603) dans le trou d'interconnexion depuis la couche germe. Dans un mode de réalisation, une couche conductrice continue (116) est formée sur la couche germe et couplée électriquement à celle-ci. La couche conductrice continue peut servir de source de courant durant la galvanisation du matériau du trou d'interconnexion conducteur.