WIDE-BANDGAP SEMICONDUCTOR DEVICES

A device 100 comprising a substrate 115 having crystal-support-structures 110 thereon, and a III-V crystal 210. The III-V crystal is on a single contact region 140 of one of the crystal-support-structures. An area of the contact region is no more than about 50 percent of a surface area 320 of the II...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: NG, HOCK, FRAHM, ROBERT, EUGENE, VYAS, BRIJESH
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A device 100 comprising a substrate 115 having crystal-support-structures 110 thereon, and a III-V crystal 210. The III-V crystal is on a single contact region 140 of one of the crystal-support-structures. An area of the contact region is no more than about 50 percent of a surface area 320 of the III-V crystal. L'invention concerne un dispositif 100 comprenant un substrat 115 sur lequel reposent des structures de support de cristaux 110, et un cristal III-V 210. Le cristal III-V se trouve sur une seule région de contact 140 de l'une des structures de support de cristaux. La zone de la région de contact ne fait pas plus de 50 pour cent de la superficie 320 du cristal III-V.