THIN-FILM BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND METHOD FOR PERFORMING HETEROGENEOUS INTEGRATION OF THE SAME WITH COMPLEMENTARY-METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

The invention relates to a method of performing heterogeneous integration of thin-film bulk acoustic wave resonator, FBAR, with complementary-metal-oxide-semiconductor integrated-circuit, CMOS, technologies. According to the invention, the method comprising the following steps, namely: i) forming a first device wafer including said FBAR, a sacrificial layer and substrate, with said FBAR devices defined on a first face; ii) forming a second device wafer including circuit elements fabricated on a CMOS technology, with CMOS integrated-circuits defined on a first face; iii) wafer-level-transferring and integration of the first device wafer including FBAR, a sacrificial layer and substrate, into the second device wafer including circuit elements fabricated on a CMOS substrate; iv) wafer-level-releasing of FBAR devices from their supporting substrate to provide mechanical isolation of FBAR devices. The invention further comprises a heterogeneous-technology semiconductor assembly, radio-frequency system and a sensing system. L'invention concerne un procédé de mise en oeuvre d'intégration hétérogène de résonateur à ondes acoustiques de volume à couche mince, FBAR, avec des technologies de circuit intégré à semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire, CMOS. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes, à savoir: i) la formation d'une première plaquette de dispositif comprenant ledit FBAR, une couche sacrificielle et un substrat, lesdits dispositifs FBAR étant définis sur une première face; ii) la formation d'une seconde plaquette de dispositif comprenant des éléments de circuits fabriqués sur une technologie CMOS, les circuits intégrés CMOS étant définis sur une première face; iii) le transfert au niveau de la plaquette et l'intégration de la première plaquette de dispositif comprenant le FBAR, une couche sacrificielle et un substrat, dans la seconde plaquette de dispositif comprenant des éléments de circuits fabriqués sur un substrat CMOS; iv) la libération au niveau de la plaquette de dispositifs FBAR à partir de leur substrat de support afin d'obtenir une isolation mécanique de dispositifs FBAR. L'invention concerne également un ensemble semi-conducteur de technologie hétérogène, un système radiofréquence et un système de détection.