FIRST SURFACE MIRROR WITH SILICON-METAL OXIDE NUCLEATION LAYER FOR IMPROVING ADHESION OF THE REFLECTIVE LAYER

A first surface mirror includes a substrate (1), a reflective layer (7) and one or more dielectric layers (9, 11). In certain example embodiments, a silicon metal oxide (e.g., silicon aluminum oxide) inclusive nucleation layer (s) (5, 8) is provided above and/or below the reflective layer (7) in ord...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BOYCE, BRENT, WUILLAUME, FRANCIS, BOYER, LEONARD, L., JR, SCOTT, GREGORY, LU, YIWEI, JACOBSON, DONALD, V
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A first surface mirror includes a substrate (1), a reflective layer (7) and one or more dielectric layers (9, 11). In certain example embodiments, a silicon metal oxide (e.g., silicon aluminum oxide) inclusive nucleation layer (s) (5, 8) is provided above and/or below the reflective layer (7) in order to improve durability of the first surface mirror. The bonding or nucleation layer (5) may be of or include elements from both the reflective layer (e.g. Al or the like) and the substrate (1) (e.g. silicon oxide or the like) to mitigate the sharp interface between the substrate and reflective layer. The transition can be further smeared by having the composition of the nucleation layer 5 so as to be graded. L'invention concerne un miroir de première surface qui inclut un substrat (1), une couche réfléchissante (7) et une ou plusieurs couches diélectriques (9, 11). Dans certains modes de réalisation, une (des) couche(s) de nucléation (5, 8) comprenant un oxyde métallique de silicium (par ex., l'oxyde d'aluminium de silicium) est (sont) fournie(s) au-dessus et/ou en dessous de la couche réfléchissante (7) afin d'améliorer la durabilité du miroir de première surface. La couche de liaison ou de nucléation (5) peut être constituée ou inclure des éléments provenant à la fois de la couche réfléchissante (par ex. Al ou un élément similaire) et du substrat (1) (par ex. de l'oxyde de silicium ou un élément similaire) pour atténuer l'interface nette entre le substrat et la couche réfléchissante. La transition peut être en outre étalée en comportant la composition de la couche de nucléation (5) de manière à être progressive.