RECYCLING OF ION IMPLANTATION MONITOR WAFERS

A wafer processing method (200). The method (200) includes providing a semiconductor wafer (110). The semiconductor wafer includes (i) a semiconductor layer and (ii) a dopant layer (112) on top of the semiconductor layer. The dopant layer (112) comprises dopants. The method further includes removing...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	GRECO, JOSEPH, R, CODDING, STEVEN, R, KRYWANCZYK, TIMOTHY, C
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A wafer processing method (200). The method (200) includes providing a semiconductor wafer (110). The semiconductor wafer includes (i) a semiconductor layer and (ii) a dopant layer (112) on top of the semiconductor layer. The dopant layer (112) comprises dopants. The method further includes removing (210) the dopant layer (112) from the semiconductor wafer (110). No chemical etching is performed on the dopant layer (112) before said removing (210) the dopant layer (112) is performed. L'invention concerne un procédé de traitement de tranche (200). Ce procédé (200) comprend la présence d'une tranche de semi-conducteur (110). La tranche de semi-conducteur inclut (i) une couche semi-conductrice et (ii) une couche dopante (112) qui se trouve sur la couche semi-conductrice. La couche dopante (112) contient des dopants. Le procédé comprend en outre le retrait (210) de la couche dopante (112) de la tranche de semi-conducteur (110). Aucune gravure chimique n'est réalisée sur la couche dopante (112) avant ledit retrait (210) de la couche dopante (112).