METHOD FOR LEAKAGE REDUCTION IN FABRICATION OF HIGH -DENSITY FRAM ARRAYS

A method is provided for fabricating a ferroelectric capacitor structure including a method for etching and cleaning patterned ferroelectric capacitor structures in a semiconductor device. The method comprises etching portions of an upper electrode, etching ferroelectric material (20), and etching a lower electrode to define a patterned ferroelectric capacitor structure, and etching a portion of a lower electrode diffusion barrier structure (30a, 30b). The method further comprises ashing the patterned ferroelectric capacitor structure using a first ashing process, where the ash comprises an oxygen/nitrogen/water-containing ash, performing a wet clean process after the first ashing process, and ashing the patterned ferroelectric capacitor structure using a second ashing process. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de condensateur ferroélectrique faisant intervenir un procédé d'attaque et de nettoyage de structures de condensateur ferroélectrique à motifs d'un dispositif de semi-conducteur. Le procédé de l'invention consiste à: attaquer les parties d'une électrode supérieure; attaquer les matières ferroélectriques (20); attaquer une électrode inférieure pour définir une structure de condensateur ferroélectrique à motifs, et attaquer une partie d'une structure (30a, 30b) de barrière de diffusion de l'électrode inférieure. Ce procédé consiste également à: incinérer la structure de condensateur ferroélectrique à motifs par un procédé d'incinération dans lequel les cendres contiennent des cendres contenant de l'oxygène/azote/eau; mettre en oeuvre un procédé de nettoyage humide suite à la mise en oeuvre du procédé d'incinération, et incinérer la structure de condensateur ferroélectrique à motifs à l'aide d'un second procédé d'incinération.