SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

A semiconductor device may include first, second, and third semiconductor layers. The first (20) and third (32) layers may have a first dopant type, and the second layer (28) may have a second dopant type. A first region (50) within the third semiconductor layer may have the second dopant type. A second region (48) between the first region and the second semiconductor layer may have the first dopant type. A third region above the second region may have the first dopant type. A fourth semiconductor region adjacent to the third region may have a first concentration of the second dopant type. A source contact region may have a second concentration of the second dopant type adjacent to the third semiconductor region and adjacent to the fourth semiconductor region. The second concentration may be higher than the first concentration. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs pouvant comprendre une première, une deuxième, et une troisième couche semi-conductrice. La première (20) et la troisième (32) couches peuvent avoir un premier type de dopant, et la deuxième couche (28) peut avoir un second type de dopant. Une première région (50) de la troisième couche semi-conductrice peut avoir le second type de dopant. Une deuxième région (48) entre la première région et la deuxième couche semi-conductrice peut avoir le premier type de dopant. Une troisième région située au-dessus de la deuxième région peut avoir le premier type de dopant. Une quatrième région semi-conductrice adjacente à la troisième région peut avoir une première concentration en second type de dopant. Une région de contact de source peut avoir une seconde concentration en second type de dopant adjacente à la troisième région semi-conductrice et adjacente à la quatrième région semi-conductrice. La seconde concentration peut être plus élevée que la première concentration.