METHOD TO REMOVE CIRCUIT PATTERNS FROM A WAFER

A method holds a wafer 206 that contains patterned structures using a particle blasting tool 200. Next, the method directs particles at the patterned structures, such that the particles contact the patterned structures with a predetermined velocity and remove the patterned structures. This process of directing the particles at wafer 206 is controlled to stop directing the particles when substantially all of the patterned structures are removed from the wafer 206. This process also comprises selecting the particles to have a size equal to or less than 3 microns. For example, the particles can comprise aluminum oxide, silicon oxide, cerium, and/or a plastic. By maintaining the particle size equal to 3 microns or less, the blasting produces a substantially smooth wafer 206 surface, thereby omitting the need for subsequent wafer polishing. Further, the wafers 206 produced by such processing do not exhibit the highly stress lattice and fragile nature of wafers processed by wet processing. La présente invention concerne un procédé maintenant une tranche 206 qui contient des structures à motifs en utilisant un outil de projection de particules 200. Le procédé dirige ensuite des particules sur les structures à motifs, de telle sorte que les particules viennent en contact avec les structures à motifs à une vitesse prédéterminée et retirent les structures à motifs. Ce procédé consistant à diriger les particules sur la tranche 206 est contrôlé pour arrêter de diriger les particules lorsque pratiquement toutes les structures à motifs sont retirées de la tranche 206. Ce procédé comprend également le choix de particules ayant une taille inférieure ou égale à 3 microns. Les particules peuvent par exemple comprendre de l'oxyde d'aluminium, de l'oxyde de silicium, du cérium et/ou du plastique. En conservant la granulométrie inférieure ou égale à 3 microns, la projection produit une surface de tranche 206 sensiblement lisse, ce qui permet de supprimer tout polissage ultérieur de la tranche. En outre, les tranches 206 produites avec ce type de procédé ne présentent ni le réseau soumis à de fortes contraintes, ni la nature fragile des tranches traitées par traitement par voie humide.