TECHNIQUES FOR CONFINING ELECTRONS IN AN ION IMPLANTER

Apparatus and a method for confining electrons in an ion implanter are disclosed. The apparatus and method comprise a first array of magnets (31) and a second array of magnets (32) positioned along at least a portion of a beam path (30), the first array being on a first side of the beam path and the second array being on a second side of the beam path, the first side opposing the second side.' At least one magnet (302) in the first array may have a pole facing an opposite pole of a corresponding magnet (302) in the second array, on the first and second arrays of magnets may collectively produce cusp magnetic fields to confine electrons in or near the beam path. L'invention concerne des techniques permettant de confiner des électrons dans un dispositif d'implantation ionique. Dans un mode particulier de réalisation d'exemple, les techniques peuvent être réalisées sous la forme d'un appareil permettant de confiner des électrons dans un dispositif d'implantation ionique. L'appareil peut comprendre un premier réseau d'aimants et un second réseau d'aimants positionnés le long d'au moins une partie d'un trajet de faisceau, le premier réseau se trouvant sur un premier côté du trajet du faisceau et le second réseau se trouvant sur un second côté du trajet du faisceau, le premier côté faisant face au second côté. Au moins un aimant du premier réseau peut posséder un pôle faisant face à un pôle opposé d'un aimant correspondant dans le second réseau.