ARRANGEMENT AND A METHOD FOR CONTROLLING DRYING PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Anordnung und Verfahren zur Steuerung von Trocknungsprozessen von Wafern (2) die in einer Trockenkammer (1 ) platziert sind, die eine Trocknergaseinheit (3) nach Maßgabe einer Gaskonzentrationsmesseinheit (4) zur Messung der aktuellen Gaskonzentration in der Trockenkammer (1 ) mit einem gasförmigen...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ASCHERFELD, MARGARETA, WIEDEMAN, SUSANNE, MOEDE, MICHAEL, ANDRES, BERTHOD, HENECKA, FRANK
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS BLASTING DRYING DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY HEATING INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES LIGHTING MEASURING MECHANICAL ENGINEERING PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING WEAPONS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Anordnung und Verfahren zur Steuerung von Trocknungsprozessen von Wafern (2) die in einer Trockenkammer (1 ) platziert sind, die eine Trocknergaseinheit (3) nach Maßgabe einer Gaskonzentrationsmesseinheit (4) zur Messung der aktuellen Gaskonzentration in der Trockenkammer (1 ) mit einem gasförmigen Lösemittel befüllt, wobei die Gaskonzentrationsmesseinheit (4) nach Art eines NDIR-Messgerätes ausgebildet ist, welches die Konzentration eines gasförmigen Lösemittels aus der Gruppe der Alkohole zum Trocknen der Wafer (2) überwacht. Arrangement and a method for controlling drying processes of wafers (2) which are placed in a drying chamber (1), which fills a drying gas unit (3) with a gaseous solvent in accordance with a gas concentration measuring unit (4) for measuring the current gas concentration in the drying chamber (1), wherein the gas concentration measuring unit (4) is constructed in the form of an NDIR sensor which monitors the concentration of a gaseous solvent from the group of alcohols for drying the wafers (2). L'invention concerne un procédé et un dispositif pour la commande de traitements de séchage de plaquettes de silicium (2) placées dans un compartiment de séchage (1), qui remplit une unité à gaz de séchage (3) selon les indications d'une unité de mesure de la concentration du gaz (4) pour la mesure de la concentration de gaz actuelle dans le compartiment de séchage (1) avec un solvant sous forme gazeuse. L'unité de mesure de la concentration du gaz (4) est réalisée à la manière d'un appareil de mesure NDIR, lequel surveille la concentration d'un solvant sous forme gazeuse du groupe des alcools pour le séchage des plaquettes de silicium (2).