METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DRIFT ENHANCED CHANNEL

A method and system for providing a metal oxide semiconductor (MOS) device are described. The method and system include providing a source, a drain, and a channel residing between the source and the drain. At least a portion of the channel includes an alloy layer including an impurity having a graded concentration. The method and system also include providing a gate dielectric and a gate electrode. At least a portion of the gate dielectric resides above the alloy layer. The gate dielectric resides between the alloy layer and the gate electrode. L'invention concerne un système et un procédé pour fournir un dispositif à semi-conducteurs à oxyde de métal (MOS). Le procédé et le système comportent la fourniture d'une source, d'un drain et d'un canal situé entre la source et le drain. Au moins une partie du canal comporte une couche d'alliage comprenant une impureté à concentration graduelle. Le système et le procédé comportent en outre la fourniture d'un diélectrique de grille et d'une électrode de grille. Au moins une partie du diélectrique de grille se situe au-dessus de la couche d'alliage. Le diélectrique de grille est situé entre la couche d'alliage et l'électrode de grille.