COPPER-METALLIZED INTEGRATED CIRCUITS HAVING AN OVERCOAT FOR PROTECTING BONDABLE METAL CONTACTS AND IMPROVING MOLD COMPOUND ADHESION
A semiconductor device having copper interconnecting metallization (111) protected by a first (102) and a second (120) overcoat layer (homogeneous silicon dioxide), portions of the metallization exposed in a window (103) opened through the thicknesses of the first and second overcoat layers. A patte...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A semiconductor device having copper interconnecting metallization (111) protected by a first (102) and a second (120) overcoat layer (homogeneous silicon dioxide), portions of the metallization exposed in a window (103) opened through the thicknesses of the first and second overcoat layers. A patterned conductive barrier layer (130) is positioned on the exposed portion of the copper metallization and on portions of the second overcoat layer surrounding the window. A bondable metal layer (150) is positioned on the barrier layer; the thickness of this bondable layer is suitable for wire bonding. A third overcoat layer (160) consist of a homogeneous silicon nitride compound is positioned on the second overcoat layer so that the ledge (162, more than 500 nm high) of the third overcoat layer overlays the edge (150b) of the bondable metal layer. The resulting contoured chip surface improves the adhesion to plastic device encapsulation.
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur ayant une métallisation d'interconnexion en cuivre (111) protégée par une première (102) et une seconde (120) surcouche (dioxyde de silicium homogène), des parties de métallisation exposées dans une fenêtre (103) ouverte dans l'épaisseur des première et seconde surcouches. Une couche barrière conductrice à motif (130) est placée sur la partie exposée de la métallisation en cuivre et sur des parties de la seconde surcouche entourant la fenêtre. Une couche de métal pouvant être liée (150) est placée sur la couche barrière ; l'épaisseur de cette couche pouvant être liée est appropriée pour le microcâblage. Une troisième surcouche (160) consistant en un composé homogène de nitrure de silicium est placée sur la deuxième surcouche de telle sorte que le rebord (162, plus de 500 nm de hauteur) de la troisième surcouche recouvre le bord (150b) de la couche de métal pouvant être liée. La surface de puce à contour obtenue améliore l'adhésion pour l'encapsulation d'un dispositif en plastique. |
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