METHOD OF FABRICATING A NITRIDED SILICON OXIDE GATE DIELECTRIC LAYER

A method of forming a nitrided silicon oxide layer. The method includes: forming a silicon dioxide layer on a surface (32) of a silicon substrate (30); performing a rapid thermal nitridation of the silicon dioxide layer at a temperature of less than or equal to about 900 °C and a pressure greater than about 500 Torr to form an initial nitrided silicon oxide layer; and performing a rapid thermal oxidation or anneal of the initial nitrided silicon oxide layer at a temperature of less than or equal to about 900 °C and a pressure greater than about 500 Torr to form a nitrided silicon oxide layer (34). Also a method of forming a MOSFET with a nitrided silicon oxide dielectric layer (34). La présente invention concerne un procédé servant à constituer une couche d'oxyde de silicium nitruré. Le procédé consiste : à constituer une couche de dioxyde de silicium sur une surface (32) d'un substrat en silicium (30); à effectuer une nitruration thermique rapide de la couche de dioxyde de silicium à une température inférieure ou égale à environ 900°C et à une pression supérieure à environ 500 Torr pour constituer une couche d'oxyde de silicium nitruré initiale; et à effectuer une oxydation thermique rapide ou un recuit de la couche d'oxyde de silicium nitruré initiale à une température inférieure ou égale à environ 900°C et à une pression supérieure à environ 500 Torr pour constituer une couche d'oxyde de silicium nitruré (34). L'invention concerne aussi un procédé de réalisation d'un MOSFET avec une couche diélectrique d'oxyde de silicium nitruré (34).