ROOM TEMERATURE SYNTHESIS OF GAN NANOPOWDER

ROOM TEMERATURE SYNTHESIS OF GAN NANOPOWDER

In the direct production of GaN by the metathesis of Li3N and GaCl3 or GaBr3 or GaI3, the reaction rate and yields can be greatly enhanced by including diethyl ether in the reaction system. Selon la présente invention, dans la production directe de GaN par la métathèse de Li3N et GaCl3 ou GaBr3 ou G...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PAN, GUIQUAN, VAN PATTEN, PAUL, GREGORY
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
CHEMISTRY
COMPOUNDS THEREOF
INORGANIC CHEMISTRY
METALLURGY
NON-METALLIC ELEMENTS
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Beschreibung
Zusammenfassung:In the direct production of GaN by the metathesis of Li3N and GaCl3 or GaBr3 or GaI3, the reaction rate and yields can be greatly enhanced by including diethyl ether in the reaction system. Selon la présente invention, dans la production directe de GaN par la métathèse de Li3N et GaCl3 ou GaBr3 ou GaI3, la vitesse de réaction et les rendements peuvent être considérablement améliorés en intégrant de l'éther diéthylique dans le système de la réaction.