PLASMA-ENHANCED DEPOSITION OF METAL CARBIDE FILMS

Methods of forming a metal carbide film are provided. In some embodiments, methods for forming a metal carbide film in an atomic layer deposition (ALD) type process comprise alternately and sequentially contacting a substrate in a reaction space with vapor phase pulses of a metal compound 102 and one or more plasma-excited species of a carbon-containing compound 106. In other embodiments, methods of forming a metal carbide film in a chemical vapor deposition (CVD) type process comprise simultaneously contacting a substrate in a reaction space with a metal compound 102 and one or more plasma-excited species of a carbon-containing compound 106. The substrate is further exposed to a reducing agent 103. The reducing agent removes impurities, including halogen atoms and/or oxygen atoms. L'invention concerne des procédés pour former un film de carbure métallique. Dans certains modes de réalisation, des procédés pour former un film de carbure métallique dans un processus de type dépôt de couche atomique (ALD) comporte l'étape consistant à mettre en contact dans un espace de réaction, alternativement et séquentiellement, un substrat avec des impulsions en phase vapeur d'un composé métallique 102 et une ou plusieurs espèces excitées par plasma d'un composé contenant du carbone 106. Dans d'autres modes de réalisation, des procédés pour former un film de carbure métallique dans un processus de type dépôt chimique en phase vapeur (CVD) comporte l'étape consistant à mettre en contact dans un espace de réaction, simultanément, un substrat avec un composé métallique 102 et une ou plusieurs espèces excitées par plasma d'un composé contenant du carbone 106. Le substrat est en outre exposé à un agent de réduction 103. L'agent de réduction supprime les impuretés, y compris les atomes d'halogène et/ou les atomes d'oxygène.