TECHNIQUE FOR MATCHING PERFORMANCE OF ION IMPLANTATION DEVICES USING AN IN-SITU MASK
A technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask. In one particular exemplary embodiment, ion implantation is performed on a portion of a substrate while the remainder is masked off. The substrate is then moved to a second implanter tool. Implantation is then pe...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | A technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask. In one particular exemplary embodiment, ion implantation is performed on a portion of a substrate while the remainder is masked off. The substrate is then moved to a second implanter tool. Implantation is then performed on another portion of the same substrate using the second tool while a mask covers the remainder of the substrate including the first portion. After the second implantation process, parametric testing may be performed on semiconductor devices manufactured on the first and second portions to determine if there is variation in one or more performance characteristics of these semiconductor devices. If variations are found, changes may be suggested to one or more operating parameters of one of the implantation tools to reduce performance variation of implanters within the fabrication facility.
La présente invention concerne une technique d'amélioration du rendement d'implanteurs ioniques utilisant un masque in-situ. Dans un mode de réalisation exemplaire, l'implantation ionique s'exécute sur une partie d'un substrat pendant que le restant est masqué. Le substrat est ensuite déplacé vers un deuxième outil d'implanteur. L'implantation s'effectue alors sur une autre partie du même substrat en utilisant un deuxième outil pendant qu'un masque recouvre le restant du substrat englobant la première partie. Après le deuxième processus d'implantation, il est possible d'effectuer des tests paramétriques sur les dispositifs à semi-conducteurs fabriqués sur la première et la deuxième des parties pour déterminer s'il y a un écart dans l'une au moins des caractéristiques de fonctionnement de ces dispositifs à semi-conducteurs. Si on trouve des écarts, on peut proposer des modifications pour l'un au moins des paramètres de fonctionnement des outils d'implantation de façon à réduire l'écart de fonctionnement des implanteurs dans l'atelier de fabrication. |
---|