RESIST COMPOSITION FOR USE IN LITHOGRAPHY METHOD UTILIZING ELECTRON BEAM, X-RAY OR EUV LIGHT

Disclosed is a resist composition for use in a lithography method utilizing electron beam, X-ray or EUV light. Specifically disclosed is a resist composition for use in a lithography method utilizing electron beam, X-ray or EUV light, comprising: a fluorinated polymer (F) which has a repeating unit...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SASAKI, TAKASI, YOKOKOJI, OSAMU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; jpn
Schlagworte:	ADHESIVES APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS CHEMISTRY CINEMATOGRAPHY COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES ORLACQUERS COMPOSITIONS BASED THEREON CORRECTING FLUIDS DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY FILLING PASTES HOLOGRAPHY INKS MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS MATERIALS THEREFOR METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS ORIGINALS THEREFOR PAINTS PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS POLISHES SEMICONDUCTOR DEVICES THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP USE OF MATERIALS THEREFOR WOODSTAINS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Disclosed is a resist composition for use in a lithography method utilizing electron beam, X-ray or EUV light. Specifically disclosed is a resist composition for use in a lithography method utilizing electron beam, X-ray or EUV light, comprising: a fluorinated polymer (F) which has a repeating unit (F) having a fluorinated aromatic ring structure in a side chain and whose alkali solubility can be increased by the action of an acid; and a compound capable of generating an acid. For example, the repeating unit (F) is a repeating unit (FV) [wherein RF represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group, or a halomethyl group (provided that three pieces of RF's may be the same as or different from one another); YF represents an acid-degradable group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom; and p, q and r independently represent an integer of 0 to 5, provided that the sum total of p, q and r is 1 to 5]. Composition résistante destinée à etre utilisée dans un procédé de lithographie utilisant un faisceau à électrons, un rayon X ou une lumière UV extrême. Une composition résistante destinée à être utilisée dans un procédé de lithographie utilisant un faisceau à électrons, un rayon X ou une lumière UV extrême est plus particulièrement décrite, comprenant : un polymère fluoré (F) ayant une structure de bague aromatique fluorée dans une chaîne latérale et dont la solubilité en alcali peut être augmentée par l'action d'un acide; et un composant pouvant générer un acide. Par exemple, l'unité de répétition (F) est une unité de répétition (Fv) [dans lequel RF représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un groupe méthylique, ou un groupe halométhylique (à condition que trois pièces de RF puissent être identiques ou différentes les unes des autres); YF représente un groupe d'acide dégradable ayant 1 à 20 atomes de carbone ou un atome d'hydrogène; et p, q et r représentent de manière indépendante un entier de 0 à 5, à condition que la somme de p, q et r soit de 1 à 5].