METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SENSOR COMPONENT, AND SENSOR COMPONENT

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorbauelements sowie ein Sensorbauelement vorgeschlagen, wobei das Sensorbauelement ein Halbleitersubstrat und ein Metallsubstrat aufweist, wobei das Halbleitersubstrat und das Metallsubstrat mittels eines Niedertemperatur-Verfahrens miteinander verbund...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: DONIS, DIETER
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorbauelements sowie ein Sensorbauelement vorgeschlagen, wobei das Sensorbauelement ein Halbleitersubstrat und ein Metallsubstrat aufweist, wobei das Halbleitersubstrat und das Metallsubstrat mittels eines Niedertemperatur-Verfahrens miteinander verbunden werden, wobei in einem ersten Schritt ein Metallpartikel enthaltendes Verbindungsmaterial auf das Halbleitersubstrat und/oder das Metallsubstrat aufgebracht wird und wobei in einem zweiten Schritt ein Sinterprozess zur Herstellung der Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Metallsubstrat verwendet wird. Disclosed are a method for producing a sensor component as well as a sensor component comprising a semiconductor substrate and a metal substrate. The semiconductor substrate and the metal substrate are interconnected using a low-temperature process. A connecting material containing metal particles is applied to the semiconductor substrate and/or the metal substrate in a first step, and a sintering process is used for creating the connection between the semiconductor substrate and the metal substrate in a second step. L'invention concerne un procédé de production d'un composant d'un détecteur, ainsi qu'un composant d'un détecteur correspondant, ledit composant présentant un substrat à semi-conducteur et un substrat métallique, procédé caractérisé en ce que ledit substrat à semi-conducteur et le substrat métallique sont liés entre eux au moyen d'un procédé à basse température, en ce que, dans une première étape, un matériau de liaison renfermant des particules métalliques est appliqué sur le substrat à semi-conducteur et/ou sur le substrat métallique, et en ce que, dans une seconde étape, un processus de frittage est utilisé pour l'obtention de la liaison entre le substrat à semi-conducteur et le substrat métallique.