TECHNIQUE FOR IMPROVING ION IMPLANTATION THROUGHPUT AND DOSE UNIFORMITY

A technique for improving ion implantation throughput and dose uniformity is disclosed. In one exemplary embodiment, a method for improving ion implantation throughput and dose uniformity may comprise measuring an ion beam density distribution in an ion beam. The method may also comprise calculating...

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Hauptverfasser: SMATLAK, DONNA, L, OLSON, JOSEPH, C, GUPTA, ATUL, RENAU, ANTHONY
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A technique for improving ion implantation throughput and dose uniformity is disclosed. In one exemplary embodiment, a method for improving ion implantation throughput and dose uniformity may comprise measuring an ion beam density distribution in an ion beam. The method may also comprise calculating an ion dose distribution across a predetermined region of a workpiece that results from a scan velocity profile, wherein the scan velocity profile comprises a first component and a second component that control a relative movement between the ion beam and the workpiece in a first direction and a second direction respectively, and wherein the ion dose distribution is based at least in part on the ion beam density distribution. The method may further comprise adjusting at least one of the first component and the second component of the scan velocity profile to achieve a desired ion dose distribution in the predetermined region of the workpiece. L'invention concerne une technique permettant d'améliorer le rendement d'implantation ionique et l'uniformité de dose. Dans un mode de réalisation donné en exemple, un procédé permettant d'améliorer le rendement d'implantation ionique et l'uniformité de dose peut comporter la mesure de la distribution de densité de faisceau d'ions dans un faisceau d'ions. Le procédé peut également comporter le calcul d'une distribution de doses d'ions à travers une zone prédéterminée d'une pièce à usiner qui résulte d'un profil de vitesse de balayage, le profil de vitesse de balayage comprenant une première composante et une seconde composante contrôlant un déplacement relatif entre le faisceau d'ions et la pièce à usiner dans une première direction et dans une seconde direction, respectivement, la distribution de doses d'ions étant basée au moins en partie sur la distribution de densité de faisceau d'ions. En outre, le procédé peut comprendre l'ajustement de la première composante ou de la seconde composante du profil de vitesse de balayage pour obtenir une distribution de doses d'ions souhaitée dans la zone prédéterminée de la pièce à usiner.