APPARATUS AND METHOD FORMING A CONTACT TO SILICIDE AND A CONTACT TO A CONTACT

An apparatus and method for forming a contact to silicide through an active diffusion region, a contact to a contact through an active diffusion region, and a contact to a polysilicon structure through a shallow trench isolation region to create a conductive connection with a circuit node of interes...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KERST, UWE, JURGEN, SADEWATER, PETER, THOMPSON, MARK, A, SCHLANGEN, RUDOLF
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An apparatus and method for forming a contact to silicide through an active diffusion region, a contact to a contact through an active diffusion region, and a contact to a polysilicon structure through a shallow trench isolation region to create a conductive connection with a circuit node of interest. In one embodiment, an opening through the active diffusion region to an associated silicide layer is used to form the conductive connection. In another embodiment, an opening through the active diffusion region to an associated contact is used to form the conductive connection. In yet another embodiment, an opening through a shallow trench isolation region to a polysilicon structure is used to form the conductive connection. L'invention concerne un appareil et un procédé pour former un contact avec un siliciure par l'intermédiaire d'une région de diffusion active, un contact avec un autre contact par l'intermédiaire d'une région de diffusion active, et un contact avec une structure de polysilicium par l'intermédiaire d'une région d'isolation de tranchée peu profonde afin de créer une connexion conductrice avec un noeud de circuit d'intérêt. Dans un mode de réalisation, on utilise une ouverture ménagée dans la région de diffusion active vers une couche de siliciure associée pour former la connexion conductrice. Dans un autre mode de réalisation, on utilise une ouverture ménagée dans la région de diffusion active vers un contact associé pour former la connexion conductrice. Dans un dernier mode de réalisation, on utilise une ouverture ménagée dans une région d'isolation tde tranchée peu profonde vers une structure de polysilicium pour former la connexion conductrice.