FERAM MANUFACTURE USING GAS CLUSTER ION BEAM

A ferroelectric capacitor stack is formed over a metal-dielectric interconnect layer. After forming the interconnect layer, the surface of the interconnect layer is treated with gas cluster ion beam (GCIB) processing. Prior to this processing, the surface typically includes metal recesses (402). The GCIB processing smoothes these recesses and provides a more level surface on which to form the ferroelectric capacitor stack. When the ferroelectric capacitor stack is formed on this leveled surface, leakage is reduced and yields increased as compared to the case where GCIB processing is not used. La présente invention consiste à réaliser un empilement de condensateur ferroélectrique sur une couche d'interconnexion métal-diélectrique. Après la réalisation de la couche d'interconnexion, sa surface est soumise à un traitement avec un faisceau ionique d'amas gazeux (GCIB). Avant ce traitement, la surface comprend généralement des retraits métalliques (402). Le traitement GCIB lisse ces retraits et permet d'obtenir une surface plus égale sur laquelle constituer l'empilement de condensateur ferroélectrique. Lorsque l'empilement de condensateur ferroélectrique est réalisé sur la surface égalisée, les fuites sont réduites et les rendements augmentés par rapport aux cas où le traitement GCIB n'est pas utilisé.