LITHOGRAPHY METHOD FOR PRODUCING A FEATURE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur durch Lithographie in einem auf einem Substrat übereinander angeordnetem Schichtsystem aus wenigstens zwei Lagen aus einem Negativlack und einem Positivlack. Das Verfahren umfasst die nachfolgenden Schritte: beide Lacke werden bestr...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	MARSO, MICHEL, MOERS, JUERGEN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur durch Lithographie in einem auf einem Substrat übereinander angeordnetem Schichtsystem aus wenigstens zwei Lagen aus einem Negativlack und einem Positivlack. Das Verfahren umfasst die nachfolgenden Schritte: beide Lacke werden bestrahlt, derartig, dass ein größerer Bereich des Positivlacks als im Negativlack modifiziert wird, beide Lacke werden entwickelt, eine Struktur, deren Abmessungen durch den entfernten Bereich des Positivlacks abzüglich des modifizierten, nicht entfernten Bereichs des Negativlacks definiert sind, wird gebildet. Auf diese Weise ist es möglich, zu sehr eng benachbarten Strukturen im Schichtsystem zu gelangen. The invention relates to a method for producing a feature by means of lithography in a layer system, arranged above one another on a substrate, comprising at least two strata made of a negative resist and a positive resist. The method comprises the following steps: both resists are irradiated such that a relatively large area of the positive resist is modified as in the negative resist, both resists are developed, a feature whose dimensions are defined by the removed area of the positive resist minus the modified, unremoved area of the negative resist is formed. In this way, it is possible to obtain very closely adjacent features in the layer system. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure par lithographie dans un système de couches superposées sur un substrat, ce système étant formé d'au moins deux couches d'un vernis négatif et d'un vernis positif. Le procédé comprend les étapes suivantes : - irradiation des deux vernis de telle sorte qu'une très grande partie du vernis positif est modifiée comme dans le vernis négatif, - développement des deux vernis - formation d'une structure, dont les dimensions sont définies par la partie éloignée du vernis positif déduction faite de la partie proche modifiée du vernis négatif. Il est possible de cette manière d'obtenir des structures très proches les unes des autres dans le système de couches.