MULTILAYERED SEMICONDUCTOR WAFER AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

The invention relates to a process for manufacturing a multilayered semiconductor wafer comprising a handle wafer (5) and a layer (40) comprising silicon carbide bonded to the handle wafer (5), the process comprising the steps of : a) providing a handle wafer (5), b) providing a donor wafer (1) comprising a donor layer (2) and a remainder (3) of the donor wafer, the donor layer (2) comprising monocrystalline silicon, e) bonding the donor layer (2) of the donor wafer (1) to the handle wafer (5), and f ) removing the remainder (3) of the donor wafer in order to expose the donor layer (2) which remains bonded to the handle wafer (5), the process being characterized by further steps of c) implanting carbon ions into the donor layer (2) in order to produce a layer (4) comprising implanted carbon, and d) heat-treating the donor layer (2) comprising the layer (4) comprising implanted carbon in order to form a silicon carbide donor layer (44) in at least part of the donor layer (2). The invention also relates to a multilayered semiconductor wafer comprising a handle wafer (5) and a silicon carbide donor layer (44) which is bonded to the handle wafer (5), wherein the silicon carbide donor layer (44) is free of twins and free of additional silicon carbide polytypes, as determined by X-ray diffraction. L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de semiconducteur multicouches comprenant une tranche de support (5) et une couche (40) renfermant du carbure de silicium, liée à la tranche de support (5). Le procédé de l'invention consiste à: a) former une tranche de support (5); b) former une tranche donneuse (1) comprenant une couche donneuse (2) et un reste (3) de la tranche donneuse, la couche donneuse (2) renfermant du silicium monocristallin; e) lier la couche donneuse (2) de la tranche donneuse (1) à la tranche de support (5); et f) enlever le reste (3) de la tranche donneuse afin d'exposer la couche donneuse (2) qui reste liée à la tranche de support (5). Le procédé de l'invention est en outre caractérisé par des étapes lors desquelles: c) on implante des ions carbone dans la couche donneuse (2) afin de produire une couche (4) comprenant du carbone implanté; et d) on soumet à un traitement thermique la couche donneuse (2) comprenant la couche (4) qui renferme du carbone implanté afin de former une couche donneuse de carbure de silicium (44) dans au moins une partie de la couche donneuse (2). L'invention concerne également une tranche de semiconduc