METHOD FOR IMPROVING INTERFACE REACTIONS AT SEMICONDUCTOR SURFACES

The present invention describes a method for producing ultra-thin thermally stoichiometric or almost stoichiometric nitrides on semiconductor wafers. The method according to the invention includes the H+- or D+-passivation of the free semiconductor surface, followed by nitriding either in an RTP system, an oven or in plasma. Compounds containing deuterium are preferred in all of the method steps of the invention in order to passivate the interface layer between the silicon surface and the dielectric. La présente invention concerne un procédé de production de nitrures ultra-minces thermiquement st chiométriques ou quasi-st chiométriques sur des tranches de semiconducteurs. Le procédé selon l'invention comprend la passivation par H+ or D+ de la surface libre du semiconducteur, suivie par une nitruration dans un système RTP, dans un four ou dans un plasma. Les composés contenant du deutérium sont préférables dans toutes les étapes du traitement selon l'invention pour réaliser la passivation de la couche d'interface entre la surface de silicium et le diélectrique.