INTEGRATED CIRCUIT MEMORY SYSTEM EMPLOYING SILICON RICH LAYERS

INTEGRATED CIRCUIT MEMORY SYSTEM EMPLOYING SILICON RICH LAYERS

An integrated circuit memory system [100] that includes: providing a substrate [102]; forming a silicon rich charge storage layer [204] over the substrate [102]; forming a first isolation trench [400] through the silicon rich charge storage layer [204] in a first direction [900]; and forming a secon...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHANG, KUO-TUNG, YANG, CHIH-YUH, MATSUMOTO, DAVID, H, HOLBROOK, ALLISON, SUH, YOUSEOK, FANG, SHENQING, TORII, SATOSHI, SHIRAIWA, HIDEHIKO, SACHAR, HARPREET, BELL, SCOTT, A, JOSHI, AMOL, RAMESH, SINGH, LOVEJEET
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:An integrated circuit memory system [100] that includes: providing a substrate [102]; forming a silicon rich charge storage layer [204] over the substrate [102]; forming a first isolation trench [400] through the silicon rich charge storage layer [204] in a first direction [900]; and forming a second isolation trench [800] through the silicon rich charge storage layer [204] in a second direction [902]. L'invention porte sur une mémoire de circuit intégré élaborée comme suit: obtention d'un substrat [102]; formation d'une couche de stockage [204] riche en silicium sur le substrat [102]; formation d'une première tranchée d'isolation [400] à travers la couche de stockage [204] dans une première direction [900]; et formation d'une deuxième tranchée d'isolation [800] à travers la couche de stockage [204] dans une deuxième direction [902].